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　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办在太空呼吸一口会怎么样，外太空呼吸是什么感觉公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下在太空呼吸一口会怎么样，外太空呼吸是什么感觉降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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