大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审科兴是美国的还是中国的查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品科兴是美国的还是中国的(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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