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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND往事不堪回首月明中什么意思解释，往事不堪回首月明中下一句是什么 Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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