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中国哪里的莲子最好吃

中国哪里的莲子最好吃 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患,对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查(chá)办公室依中国哪里的莲子最好吃(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》,网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

  半(bàn)导(dǎo)体突(tū)发!中(zhōng)国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōn中国哪里的莲子最好吃g)应优(yōu)势,公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析,如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(中国哪里的莲子最好吃gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国(guó)产化(huà)进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公司份额(é)提升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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