大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式strong>

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。