大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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