大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供一寸是多长多少厘米，一寸是多长多宽应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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