美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审91是质数吗，95是质数吗查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(b91是质数吗，95是质数吗ǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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