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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网广东高考总分是多少分,各科多少分，广东省高考总分多少分？络(luò)安全(quán)广东高考总分是多少分,各科多少分，广东省高考总分多少分？审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯广东高考总分是多少分,各科多少分，广东省高考总分多少分？片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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