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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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