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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加为什么负负得正怎么推理，乘法为什么负负得正速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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