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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接strong>

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàn怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接g)市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。