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　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》你有一双会说话的眼睛什么歌曲 你有一双会说话的眼睛是谁唱的，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对你有一双会说话的眼睛什么歌曲 你有一双会说话的眼睛是谁唱的美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数你有一双会说话的眼睛什么歌曲 你有一双会说话的眼睛是谁唱的(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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