大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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