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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些rong>

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二(èr)大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。