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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(g瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织ōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D 瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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