大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（write的过去分词怎么用，write的过去分词英语Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作。write的过去分词怎么用，write的过去分词英语

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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