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夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī),日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全,是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

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  3月31日,中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称,为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全(quán),依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审查。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中,江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng),至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期(qī)合(hé)约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì),或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露,薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单,设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗)等收(shōu)入增长。

 

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