大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信富士康漂亮女生一般分到哪里，富士康女生一般分到哪个岗位(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、富士康漂亮女生一般分到哪里，富士康女生一般分到哪个岗位西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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