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2升是多少斤啊 2升是多少毫升 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息(xī),日(rì)前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键2升是多少斤啊 2升是多少毫升信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全(quán),是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称(chēng),为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)2升是多少斤啊 2升是多少毫升,防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施(sh2升是多少斤啊 2升是多少毫升ī)网(wǎng)络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手(shǒu):停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu),也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商,采购(gòu)约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分(fēn)析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制,或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜(mó)沉积(jī))等相关(guān)公司份额提升,以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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